(NAND FLASH)ECC内存校验算法与在线计算器
输入字节数(256)
ECC校验字节(3Byte,HEX)
ECC校验字节(3Byte,DEC)
 
 
 
校验模式
数据格式
输出分隔
HEX标志
校验字节格式
校验字节一
校验字节二
校验字节三
 

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分类： 校验计算 标签：NAND FLASHECC内存校验 工具ID：626 阅读：5285 收藏

本软件适用于ECC内存校验码的计算，可完成以下计算功能：

1）计算256字节数据的ECC校验码（3字节）；

2）已知ECC校验码（3字节）和256字节数据，判断该数据的正确性，当数据发生1bit可修复错误时，可输出修正后的256字节数据结果。

计算器用法说明：

校验模式：1）选计算ECC校验值，用于计算256字节数据的ECC校验值。2）选判断数据正确性，用于验证256字节数据和读取ECC校验值是否匹配，从而判断256字节数据是否发生错误。

数据格式：指输入256字节数据的格式，支持ASCII码数据和16进制数据（16进制数据可以是双字符格式，如“FF”，也可如“0xFF”以“0x”为前缀格式，可是“FFH”以“H”为后缀格式）。

注：输入16进制的256字节数据应用空格、制表符、回车符或(英文半角)逗号隔开，输入ASCII码数据不用隔开，务必是连续的256字符。

输出分隔：用于控制输出修正数据的分隔符，可以是空格、逗号、回车或连续等，一般16进制数据用逗号隔开，ASCII码输出连续的字符。

HEX标志：用于控制输出（16进制）修正数据的后缀“H”和前缀“0x”。

举例说明：1）计算256字节的ASCII数据校验值，输入数据如下：

b23456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890

123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890

1234567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456

点击计算后，得：

输入字节数    256

ECC校验字节(3Byte,HEX)    00 , 00 , ff

ECC校验字节(3Byte,DEC)    0 , 0 , 255

2）验证操作：

将上述256字节的数据第3个字符"3"修改为"2"再次录入输入框，即与上次的数据发生了1bit的错误。原始数据的ECC校验值为：ECC校验字节(3Byte,HEX)    00 , 00 , ff。

将校验模式选择为”判断数据正确性“，将原始校验字节输入到底部的校验字节处，点击计算按钮，可输出以下结果：

本256字节数据发生1个bit错误，输入原始数据如下：

b22456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890

123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890

1234567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456

根据ECC校验码修正后数据如下：

b23456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890

123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890

1234567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456

ECC的全称是Error Checking and Correction，是一种用于Nand的差错检测和修正算法。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出错。ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正，对2比特以上的错误不保证能检测。

由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。
　　如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出错。
　　对数据的校验常用的有奇偶校验、CRC校验等，而在NAND Flash处理中，一般使用一种比较专用的校验——ECC。ECC能纠正单比特错误和检测双比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正，对2比特以上的错误不保证能检测。
　　当往NAND Flash的page中写入数据的时候，每256字节我们生成一个ECC校验和，称之为原ECC校验和，保存到PAGE的OOB（out-of-band）数据区中。
　　当从NAND Flash中读取数据的时候，每256字节我们生成一个ECC校验和，称之为新ECC校验和。
　　校验的时候，根据上述ECC生成原理不难推断：将从OOB区中读出的原ECC校验和新ECC校验和按位异或，若结果为0，则表示不存在错（或是出现了ECC无法检测的错误）；若3个字节异或结果中存在11个比特位为1，表示存在一个比特错误，且可纠正；若3个字节异或结果中只存在1个比特位为1，表示OOB区出错；其他情况均表示出现了无法纠正的错误。

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